3LM　

スリー・エルム（3LM、3 Laser Metalization）は、弊社が提供する3D配線形成技術（MID技術）のことです。LDS（Laser Direct Structuring）を中心に取り組んでおります。

従来の基板やハーネスといった2次元配線には「電子機器の小型化・軽量化が困難」、「製品形状の制約」といった課題がありました。

既存の基板やハーネスをスリー・エルムに代替することで、基板レス・ハーネスレスを実現でき、省スペース化、小型化、軽量化、組立工数の削減、デザイン性の拡張が可能となります。

携帯端末や自動車、医療機器などの電子機器の高機能化に伴う薄型化・軽量化の要求にお応えします。

特長

基板レス・ハーネスレスの実現

製品の筐体にダイレクトに配線を形成できるため、基板レス・ハーネスレスによる部品点数の削減が可能となります。
また、基板やハーネスの組み立て・取り付けも必要なくなることから、工数の削減も可能となります。

電子機器の小型化・軽量化・省スペース化の実現

基板やハーネスが必要なくなるため、電子機器の小型化・軽量化・省スペース化が実現できます。

サンプル提供：グンゼ株式会社様

設計自由度拡大によるデザイン性の拡張

基板やハーネスの形状にとらわれないデザインが可能です。
ウェアラブル機器をはじめとした携帯端末のデザイン性向上に最適です。

LDS（エル・ディー・エス）とは？

シンプルな製造工程

LDSの工程

①設計

②樹脂成形

③レーザー

④選択めっき

⑤実装

サンプル提供：大英エレクトロニクス様

LDS工法は、①設計、②樹脂成形、③レーザー、④選択めっき、⑤実装の4つのシンプルな製造工程で3D配線を形成することができます。

弊社では設計から実装までのすべての工程のアレンジが可能です。

デザインルール

平面のL/S

　　　L/S≧120μm/120μm
推奨：L/S≧150μm/150μm

曲面のL/S

　　　L/S≧150μm/150μm
推奨：L/S≧200μm/200μm

パターン半径

　　　R≧0.3mm
推奨：R≧0.5mm

エッジ半径/曲げ半径

　　　R≧0.3mm
推奨：R≧0.5mm

端部からの距離

100μm以上

壁からの距離

300μm以上

押し出しピン

ピンの深さ40μm以下
パターンからの距離0.2mm以上

パーティング・ライン（PL）

パターンが入らないこと
不可の場合は、別途ご相談

凹み部への配線形成

側壁の傾斜60度以下

スルホール

テーパー角度60度以下

配線の開口部

60度以上

めっき前の粗さ（Ry）

Ry=20μm以下、バリ・傷無きこと

対応可能なめっきの厚み（弊社実績）

無電解めっき／Cu20μm + Ni10μm + Au0.5μmまで
電気めっき／Cu40μm + Ni10μm + Au0.5μmまで
※Cuは密着層として、NiはCuとAuの拡散防止のために必須

めっき後の粗さ（Ra）

無電解めっきのとき：3～10μm
電気めっきのとき ：1～4μm

用途

スマート
ウォッチ

ワイヤレス
イヤホン

スマート
グラス

スマート
スピーカー

スマート
ライト

スマート
ロック

決済端末

携帯端末
部品

医療機器

自動車部品

IoT端末
部品