高放熱セラミックス基板 

高放熱セラミックス基板 

半導体デバイスの性能向上を実現するめっき技術

特長

高い電気絶縁性

高熱伝導率

放熱性に優れる

低熱膨張率

各種基板材料の比較

基板材料の比較

  セラミックス ガラス シリコン 樹脂
アルミナ
Al2O3
窒化アルミ
AlN
無アルカリ
Alkali-free
石英
Quartz
シリコン
Sillicon
ガラス
エポキシ
(FR-4)
フッ素樹脂
(PTFE)
熱伝導率
W/m・k
30 150-250 1.0 1.3 168 <0.5 0.23
熱膨張率
×10-6/K
7 4-5 3-4 0.5 3.9 20 10
誘電率
εr
<10 9 5-7 4 12 4.5 2.1
誘電正接
tanδ
<0.0005 0.0005 0.002 <0.0005 0.005 0.0002
耐薬品性              
特徴 放熱性 高周波特性 加工性 低コスト 高周波特性

優    良   

上記は参考値となります。

上記は参考値となります。

回路形成工法

サブトラクティブ法

回路表面がフラットであり表面実装性に優れている。

  • 素材
  • シード層形成
  • 電気めっき
  • レジスト形成
  • エッチング
  • レジスト除去
  • 素材
  • シード層形成
  • 電気めっき
  • レジスト形成
  • エッチング
  • レジスト除去

セミアディティブ法

銅パターンの狭ピッチ化が可能。

  • 素材
  • シード層形成
  • レジスト形成
  • 電気めっき
  • レジスト除去
  • シード層除去
  • 素材
  • シード層形成
  • レジスト形成
  • 電気めっき
  • レジスト除去
  • シード層除去

工法の比較

  サブトラクティブ工法 セミアディティブ工法
形状
表面実装性    
L/S ※ 10/35μm 10/25μm以上
スルーホール内の
導体の均一性
   
導電性    
膜厚 50μm以上対応可  

優   

※ L/Sは膜厚が10μmの場合の値となります。

※ L/Sは膜厚が10μmの場合の値となります。

デザインルール

標準デザイン

サイズ in 4 × 4 ※推奨
厚み (A) μm 200-600
Cu厚さ (B) μm 10 20 50
パターン幅(C)
μm
10 10 10
パターン間隔(D)
μm(サブトラクティブ)
35 70 150
パターン間隔(E)
μm(セミアディティブ)
25 50
断面図(サブトラクティブ)

断面図(サブトラクティブ)

断面図(セミアディティブ)

断面図(セミアディティブ)

貫通穴へのめっき

【実績値】

開口部直径(F) 100 μm/セラミックス厚み(G) 300 μm

貫通穴横断面図

貫通穴横断面図

上記は参考値となります。実際のデザインについてはご相談ください。

めっき例

配線めっき

配線めっき(ペルチェ基板)

サブトラクティブ工法

セミアディティブ工法

貫通穴への埋め込みめっき

対応可能な素材と用途

セラミックス 想定される用途
アルミナ Al2O3 放熱基板、ペルチェモジュール
ジルコニア ZrO2 ペルチェモジュール
酸化亜鉛 ZnO 半導体回路基板、LED
チタン酸バリウム BaTiO3 GPS用誘電体パッチアンテナ、PTCサーミスタ
チタン酸ジルコン酸鉛 PZT インクジェットプリンタヘッド
窒化アルミニウム AlN 発光ダイオード用基板、ペルチェモジュール、放熱基板
炭化ケイ素 SiC LDパッケージ基板
窒化ケイ素 Si3N4 インバーター、コンバーター、バッテリー、二次電池

納品までの流れ

資材調達からダイシング加工まで、一貫した生産が可能です。

  • 打合せ・注文
  • 資材調達
  • めっき(配線・電極形成)
  • 研磨・ダイシング
  • 納品
納品までの流れ

※プロセスはお客様のご希望に合わせて対応します。

管理コストの低減、リードタイムの短縮を可能にします。

ご相談・ご質問等ございましたら、お気軽にお問い合わせください。

TEL 03-3742-0107   FAX 03-3745-5476